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            【IC設計】大功率芯片研制獲突破

            來源:全球半導體觀察整理       

            據湖北日報消息,近日,由湖北深紫科技有限公司與華中科技大學共建的企校聯合創新中心研發團隊,成功實現了UVC大功率芯片技術突破,研制出單顆光輸出功率140mW以上的大功率芯片。目前該款產品已進入批量供貨階段。

            今年5月鄂州融媒消息,該企校聯合創新中心已獲得2022年中央引導地方科技發展項目,正在實施“紫外 UVB 與 UVC LED 芯片及其模組的研發和產業化”項目,進一步提升紫外LED芯片量子效率,開發多款紫外LED模組,力爭該類芯片性達到國際領先水平。

            封面圖片來源:拍信網

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