【制造/封測】思特威成功開發國產自研高端BSI工藝平臺

據思特威官方公眾號消息，近日，思特威與合肥晶合集成合作推出了國產自研高端BSI工藝平臺。

在CMOS圖像傳感器小像素尺寸與高分辨率的市場趨勢下，BSI（Back SideIllumination）即背照式入射受到市場的重視和需求。相較于前照式入射方案，BSI將光線入射方向改至光電二極管的背面，可大幅提升 CMOS 圖像傳感器的量子效率，降低電路光學串擾，同時解決了像素尺寸微小化和擴大光學視角響應方面的重要難題，進而實現極佳的暗光成像品質。

據悉，早在2020年，思特威就已與晶合集成攜手成功推出了DSI工藝平臺并實現量產。為了繼續提升產品性能，2021年思特威開始進行本土BSI背照式先進工藝平臺的研發，在多項關鍵技術工藝上取得突破性成果，創新推出了國產高端BSI工藝平臺。此次思特威攜手晶合集成推出的國產自研高端BSI平臺通過晶圓鍵合技術、晶圓減薄技術以及硅表面鈍化技術等三大關鍵工藝，可為當下智視應用提供一流的暗光成像性能。

該BSI高端工藝平臺搭載晶圓鍵合技術，采用直接鍵合方式降低鍵合過程中晶圓畸變的產生，大幅提升其鍵合力，實現高像素性能；同時，為實現更好的BSI光電二極管結構，藉由思特威開發優化的晶圓減薄技術，可在晶圓研磨減薄中最大程度減少硅的損耗，保障超高精度并將硅襯底厚度成功減薄，而且對于850nm與940nm的近紅外增強也做了工藝優化，保障了晶圓強度并實現出色的感光性能；此外，該平臺還采用了業內前沿工藝材料打造硅表面鈍化技術，避免了晶片拋光后對光電二極管的損壞，進一步減少白點與暗電流的產生，提升CIS的暗光成像表現。

封面圖片來源：拍信網